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存储器 - Cypress(赛普拉斯)
Cypress存储器赛普拉斯是同步 SRAM、异步 SRAM、非易失性 SRAM、非易失性 F-RAM 以及多端口解决方案和 FIFO 产品方面的行业领导者。尽管在存储器市场中,供应商的数量不断减少,可供选择的产品系列也日渐萎缩,但赛普拉斯依然可为市场提供最佳的解决方案。虽然许多企业在继续放弃市场,赛普拉斯却仍是具有创新精神、可靠、敬业的供应商,可以满足您的存储器需求。长期致力于最广泛的产品线、产品开发、行业资历和最先进的技术使赛普拉斯成为您的首选存储器供应商。无论您是哪种应用(从手持设备到网络设备),赛普拉斯的存储器系列都是多功能的典范:micropower、快速异步、同步、非易失性产品、多端口和 FIFO 存储器。当今市场上不断有产品使用期结束 (EOL) 的情况,赛普拉斯可为您的长期运营需求提供支持和信心。

同步 SRAM - 业界最广泛的产品系列:

赛普拉斯致力于提供齐全的高密度同步 SRAM 系列,包括 QDR/DDR、QDR II 和 DDR II、No Bus Latency 以及标准流水线和涌流产品。赛普拉斯提供业内最广泛的 65 纳米同步 SRAM 产品系列,密度从 1 Mbits 到 144 Mbits,速度最高为 550 MHz。作为一家顶级同步 SRAM 制造商,赛普拉斯能够将最佳制造工艺融入其产品,并提供完善的客户支持。没有其他供应商能够与赛普拉斯在密度、速度等级选项、温度范围以及 TQFP 和 BGA 含铅和无铅封装领域相匹敌。赛普拉斯提供含铅和无铅封装 SRAM 产品系列;涵盖商业级、工业级和军事级三种选择;接口配置种类丰富;性能选择灵活多样。赛普拉斯还可与客户合作,提供针对特定应用需求的解决方案。 赛普拉斯已向世界各地超过 150 家客户提供了 100 多万件 65 纳米 SRAM 产品。

 

QDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18、x 9  I/O 配置

  供应突发长度为 2 和 4 的产品

  突发长度为 4 和 2 的产品时钟频率最高可达 333MHz

  读取延迟为 1.5 个周期

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

 

QDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18、x 9 I/O 配置

  供应突发长度为 2 和 4 的产品

  突发长度为 4 和 2 的产品时钟频率最高分别为 550MHz 和 333MHz。

  供应读取延迟周期为 2 和 2.5 的产品

  ODT:高低范围

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

 

DDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18 I/O 配置

  时钟频率最高可达 333 MHz

  供应突发长度为 2 的产品

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

 

DDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18 I/O 配置

  时钟频率最高可达 550 MHz

  供应突发长度为 2 的产品

  供应读取延迟周期为 2 和 2.5 的产品

  ODT:高低范围

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

 

超低功耗 SRAM - 先进的处理技术:

即使在主要参与者都退出市场的情况下,赛普拉斯仍然致力于为快速异步和低功耗 SRAM 提供支持。通过提供 SRAM 领域最先进的加工技术,赛普拉斯 MoBL SRAM 以业界最广泛的产品系列(从 64 Kb 至 64 Mb)主宰了低功率市场,赛普拉斯采用以下行业标准封装方式提供符合 RoHS(有害物质限制)标准的 MicroPower SRAM:FBGA、VFBGA、SOIC、STSOP、TSOP、TSOP II 和 PDIP(在工业温度范围内)。这些 SRAM 适用于右侧所显示应用中的高性能、高电池寿命存储器解决方案。

 

快速异步 SRAM - 无与伦比的品质:

赛普拉斯提供最广泛的快速异步 SRAM 产品系列(从 4 Kb 至 32 Mb),并采用行业标准电压、总线宽度和封装方式。这些设备可提供最快的访问时间,使其成为网络设备的最佳选择。赛普拉斯的快速异步 SRAM 拥有一流的加工技术以及生产和客户支持。快速异步 SRAM 采用符合有害物质限制 (RoHS) 标准和行业标准的封装方式:FBGA、VFBGA、SOJ、TSOP、TSOP II 和 PDIP(在工业温度范围内)。

 

多端口存储器 - 最大限度地改善性能:

赛普拉斯的多端口存储器解决方案提供业界最高性能的互连产品。我们的多端口存储器产品系列包括超过 250 种同步和异步产品,其密度从 8 Kb 至 36 Mb。采用 90 纳米技术开发的 FullFlex 高密度同步双端口 SRAM 系列提供 4 Mb、9 Mb、18 Mb 和 36 Mb 密度,采用 x18、x36 和 x72 配置。赛普拉斯多端口采用行业标准封装,如 TQFP、FBGA、PLCC 和模压 DIP。

 

尖端技术:90 纳米

最低电压范围:1.2V 和 1.8V

最高密度范围:2 Mb 至 36 Mb

最广深度范围:x18 至 x72

 

FIFO 存储器 - 最高性能:

赛普拉斯提供密度从 2 Kb 至 1 Mb 的 FIFO 存储器,为以下所列的互连问题提供理想的解决方案:

 

流量控制

速率匹配

总线匹配

 

全面的 FIFO 产品线采用行业标准封装,如 TQFP 和 PLCC。这些设备可以很容易地集成到新设计和现有设计中,可帮助设计人员简化系统设计和缩短设计周期。提供 100 种以上的异步和同步 FIFO 存储器类型。

 

非易失性产品 - 增强的性能和可靠性:

赛普拉斯的快速写入非易失性存储器系列是同行业中涵盖范围最广的产品系列。赛普拉斯 nvSRAM 是最快的非易失性存储器。赛普拉斯 F-RAM 是功耗最低的非易失性存储器。赛普拉斯将继续支持和投资 nvSRAM 和 F-RAM 及相关产品,从而提供更为全面的非易失性存储器产品系列。

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